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型号 IPD70N10S3-12
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
IPD70N10S3-12 PDF
代理商 IPD70N10S3-12
产品目录绘图 Mosfets TO-252-3-11, TO-252-3
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 70A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 11.1 毫欧 @ 70A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4355pF @ 25V
功率 - 最大 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPD70N10S3-12DKR
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